LSWN 800 接触式光刻机
LSWN800接触式光刻机指掩膜板直接与基板的光刻胶层接触,曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率准确度高,设备简单,线宽可达800nm;可以配合使用多种型号的正光阻和负光阻。
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产品介绍
LSWN 800 接触式光刻机指掩膜板直接与基板的光刻胶层接触,曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率准确度高,设备简单,线宽可达800nm;可以配合使用多种型号的正光阻和负光阻,适用于从特殊大小的基片到4尺寸很宽广范围材料的紫外或深紫外光曝光。可广泛应用于半导体制造,光电电子,平板,射频微波,衍射光学,微机电系统,凹凸或覆晶设备和其他要求精细印制和精度对准的应用。
产品用途
接触式曝光指掩膜板直接与基板的光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率准确度高,设备简单。
1.半导体制造;
2.光电电子、平板;
3.射频微波,衍射光学;
4.微机电系统;
5.凹凸或覆晶设备等。
主要规格
线宽可达800nm,可以配合使用多种型号的正光阻和负光阻。
适用晶片尺寸:样品尺寸不能大于6英寸。
产品特点
1.分辨率准确;
2.更广范围的紫外光波长选择;
3.支持恒定光强或恒定功率模式;
4.广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域;
参数
晶片尺寸:4英寸、6英寸、8英寸
曝光光源:365nm、380nm、395nm三种波长的LED集成光源
分辨率:3μm
对准精度:0.3μm
曝光方式:接触式曝光
尺寸:170cm x 130cm x 180cm

